申请（专利）号：CN200510093367.3申请日：2005.08.26
公开（公告）号：CN1921157公开（公告）日：2007.02.28
主分类号：H01L33/00(2006.01)范畴分类：
分类号：H01L33/00(2006.01)
优先权：
申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
地址：100083北京市海淀区清华东路甲35号
国省代码：北京；11
发明（设计）人：康亭亭；刘祥林
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：段成云
分案申请号：
颁证日：
摘要：
本发明涉及发光二极管技术领域的一种深紫外发光二极管结构。该结构利用了等离激元效应，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有电极接触的功能。其基本结构是将一般MIS发光二极管的金属部分采用具有可以产生表面等离激元的周期性结构的。
主权项：
一种深紫外发光二极管，其特征在于：利用等离激元效应来提高光发射的量子效率的MIS紫外发光二极管结构，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有电极接触的功能。
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